去年11月份，高通正式宣布了旗下的新旗舰处理器骁龙835，随后又在今年初的CES大展上公布了它的技术细节。现如今，骁龙835终于要在国内正式亮相了。

今天，高通宣布，将于3月22日下午在北京召开骁龙835亚洲首秀活动，届时将详细介绍骁龙835的一些技术细节，据说还有会跑分展示，令人非常期待。

目前已经公开的数据显示，骁龙835采用10nm工艺打造，集成了八颗高通自主研发的Kryo 280处理器核心，四颗大核心频率为2.45GHz，四核小核心频率则是1.9GHz；内置的GPU为Adreno 540，DSP省级到Hexagon 682。

此外，骁龙835还整合了X16 LTE基带，这让它成为了全球首款下行速率达到千兆级别的SoC。同时，骁龙835还支持QC 4.0快速充电，相比QC 3.0来说效率可提升30%，速度能够提升20%，而且发热量更低。

而通过10nm工艺加持，高通表示骁龙835的核心面积减少了35%，而且功耗相比骁龙821降低25%。

据说，三星Galaxy S8、小米6等旗舰机均已确定会搭载骁龙835处理器，前者本月底会正式发布，后者的发布时间最迟应该是4月份。