![Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游](/Img/20100204/S10032933.jpg)
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300mm晶圆
![Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游](/Img/20100204/10034216.jpg)
每片闪存颗粒die容量为8GB(每格2GB),面积167平方毫米。
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Intel副总裁,NAND闪存业务总经理Tom Rampone手持25nm颗粒
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![Intel/美光25nm工艺晶圆厂一日游](/Img/20100204/10041507.jpg)
尺寸对比
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从左到右分别是:
2003年130nm工艺128MB,2005年90nm工艺512MB,2007年50nm工艺1GB,2009年34nm工艺4GB以及现在的25nm工艺8GB闪存。最右侧是标准的TSOP闪存封装尺寸。
使用25nm工艺闪存,只需要单die芯片即可造出Class 10级SD卡。Intel计划,今年将基于该闪存造出最大600GB的固态硬盘,而美光甚至计划最大推出1TB SSD。
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